Browse Title Index

Issue Title File
Vol 53, No 3 (2024) The Effect оf Laser Radiation оn Functional Properties of MOS Structures
Rekhviashvili S.S., Gaev D.S.
Vol 52, No 5 (2023) The Influence of Small F2, H2, and HF Additives on the Concentration of Active Particles in Tetrafluoromethane Plasma
Efremov A.M., Smirnov S.A., Betelin V.B.
Vol 53, No 2 (2024) The new approach of a simulation low dose rate radiation effects in bipolar integrated circuits
Chumakov A.I.
Vol 53, No 3 (2024) The structure and formation of non-volatile memory cells of Superflash
Abdullaev D.A., Bobrova E.V., Milovanov R.A.
Vol 53, No 3 (2024) Thermal modelling and layout optimization of GaN half-bridge IC with integrated drivers and power HEMTs
Kagadey V.A., Kodorova I.Y., Polyntsev E.S.
Vol 52, No 4 (2023) Tomography of Detectors Taking Dead Time into Account
Bogdanov Y.I., Katamadze K.G., Borshchevskaya N.A., Avosopiants G.V., Bogdanova N.A., Kulik S.P., Lukichev V.F.
Vol 53, No 6 (2024) Tunnel Breakdown Bipolar Transistor
Rekhviashvili S.S., Gaev D.S.
Vol 52, No 6 (2023) ВНИМАНИЮ АВТОРОВ
Vol 52, No 1 (2023) Искусственный интеллект никогда не заменит полностью человека
Абрамов И.
Vol 52, No 1 (2023) Контактно-транспортные и автоэмиссионные свойства низкоразмерных 2D углеродных гетероструктур
Яфаров Р., Шабунин Н.
Vol 52, No 1 (2023) Параметры газовой фазы и кинетика реактивно-ионного травления SiO2 в плазме CF4/C4F8/Ar/He
Ефремов А., Kwon K.
Vol 52, No 1 (2023) Разработка методики построения нелинейной модели метаморфного 0.15 мкм МHEMT InAlAs/InGaAs транзистора
Локотко В., Васильевский И., Каргин Н.
Vol 52, No 1 (2023) Электрофизические характеристики и эмиссионные спектры плазмы тетрафторметана
Мурин Д., Пивоваренок С., Чесноков И., Гогулев И.
101 - 113 of 113 Items << < 1 2